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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
66
左右 -78% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
37
读取速度,GB/s
16.1
12.0
写入速度,GB/s
8.3
6.3
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1810
1878
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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