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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
17.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
17.9
19.9
写入速度,GB/s
14.7
14.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3705
3357
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB RAM的比较
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Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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