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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
12.6
15.6
写入速度,GB/s
8.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
3122
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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