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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
12.6
15.0
写入速度,GB/s
8.6
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
2654
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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