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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
33
读取速度,GB/s
5,021.4
15.5
写入速度,GB/s
2,135.0
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3131
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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