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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
4,670.6
18.2
写入速度,GB/s
2,378.6
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3143
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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