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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
14.3
18.3
写入速度,GB/s
9.4
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2142
3122
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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