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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.1
17.6
写入速度,GB/s
8.6
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3268
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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