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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.1
15.0
写入速度,GB/s
8.6
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2875
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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