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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.1
17.9
写入速度,GB/s
8.6
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3502
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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