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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
12.1
10.4
写入速度,GB/s
8.6
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2297
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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