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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
AMD R9S48G3206U2S 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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AMD R9S48G3206U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
13.9
20.6
写入速度,GB/s
9.7
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3518
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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