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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.9
15.9
写入速度,GB/s
9.7
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2989
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Kingston XJ69DF-MIE2 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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