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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

总分
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

总分
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

差异 规格 评论

差异

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 46
    左右 11% 更低的延时
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB 需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 46
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    9.7 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2366 left arrow 2717

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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内存RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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