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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
53
左右 23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
53
读取速度,GB/s
13.9
20.0
写入速度,GB/s
9.7
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2366
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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