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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
65
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
37
读取速度,GB/s
6.1
17.8
写入速度,GB/s
4.2
14.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3171
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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