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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
65
左右 -225% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
20
读取速度,GB/s
6.1
19.0
写入速度,GB/s
4.2
13.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
3120
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
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