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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.8
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.4
20.6
写入速度,GB/s
6.7
18.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
4112
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Mushkin 996902 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
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