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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
41
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
39
读取速度,GB/s
12.5
12.8
写入速度,GB/s
8.2
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2087
2423
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
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