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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
12.7
15.8
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2962
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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