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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
4,226.4
16.6
写入速度,GB/s
1,479.2
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3629
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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