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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
4,226.4
16.8
写入速度,GB/s
1,479.2
12.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
3246
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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