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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
65
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
65
读取速度,GB/s
4,226.4
17.0
写入速度,GB/s
1,479.2
9.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2058
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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