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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
101
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.7
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
101
读取速度,GB/s
4,226.4
12.1
写入速度,GB/s
1,479.2
6.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
1382
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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