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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
4,226.4
16.3
写入速度,GB/s
1,479.2
12.2
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2761
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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