RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
6,336.8
19.9
写入速度,GB/s
2,935.8
16.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3832
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link