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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 -7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
42
读取速度,GB/s
6,336.8
14.7
写入速度,GB/s
2,935.8
10.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2476
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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