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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

总分
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    6 left arrow 18.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,935.8 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 45
    左右 -50% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    6,336.8 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    2,935.8 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1144 left arrow 3389

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较

OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
内存RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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