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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
8.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2725
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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