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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.2
18.2
写入速度,GB/s
8.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3510
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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