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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
13.2
18.9
写入速度,GB/s
8.4
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3418
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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