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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.2
13.0
写入速度,GB/s
8.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2757
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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