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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
14.8
17.0
写入速度,GB/s
8.7
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2703
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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