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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
14.8
20.5
写入速度,GB/s
8.7
16.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3687
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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