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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
14.8
15.4
写入速度,GB/s
8.7
12.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3038
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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