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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
14.8
15.3
写入速度,GB/s
8.7
10.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2559
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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