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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
14.8
11.6
写入速度,GB/s
8.7
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2332
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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