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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
96
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
96
读取速度,GB/s
14.8
10.5
写入速度,GB/s
8.7
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
1211
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
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