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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
25
读取速度,GB/s
14.8
16.3
写入速度,GB/s
8.7
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2680
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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