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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
14.8
13.7
写入速度,GB/s
8.7
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2394
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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