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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.8
18.0
写入速度,GB/s
8.7
14.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3327
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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