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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

总分
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

总分
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB 需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 28
    左右 -27% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.8 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.3 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    12.4 left arrow 16.8
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 12.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2014 left arrow 3036

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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内存RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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