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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.4
19.5
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3355
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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