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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
53
读取速度,GB/s
12.4
10.4
写入速度,GB/s
7.5
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2285
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-105.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
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