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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
35
读取速度,GB/s
17.4
13.7
写入速度,GB/s
10.9
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2237
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
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