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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
66
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
66
读取速度,GB/s
17.4
11.4
写入速度,GB/s
10.9
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1604
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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