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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
53
读取速度,GB/s
17.4
13.5
写入速度,GB/s
10.9
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2871
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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