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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
31
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
22
读取速度,GB/s
17.4
17.8
写入速度,GB/s
10.9
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3036
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
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