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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
66
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
66
读取速度,GB/s
17.4
12.0
写入速度,GB/s
10.9
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1909
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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