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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
17.4
15.9
写入速度,GB/s
10.9
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2855
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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